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Tema 3
C ds = Coss − C rss
C gs = C iss − C rss
C gd = C rss
(3.25)
El efecto Miller descrito en un E-C también se produce en la configuración fuente-común de la figura 3.16.a.
Como se puede observar en el circuito equivalente de pequeña señal de la figura 3.16.b, el terminal puerta de un
FET no está aislado del de drenaje, sino que están conectados a través de Cgd. Según el teorema de Miller, esa
capacidad puede descomponerse en dos: (1-Av)Cgd. y (1-1/Av)Cgd., siendo Av=–gmRD||rd. Despreciando la
segunda capacidad que se suma a Cds, se observa que debido al efecto Miller se incrementa notablemente la
capacidad de entrada (Ci) de puerta del FET. Al ser ésta la capacidad dominante, la frecuencia de corte superior
viene dada como
ƒH =
1
(
2 π( R S || R G ) C gs + (1 + g m ( R D || rd ))C gd
)
(3.26)
RD
C gd
RS
vo
RS
+
+
vs
~
vs
~
vo
RG
rd
vgs
C gs
RG
a)
RD
C ds
gmvgs
b)
Figura 3.16. a) Amplificador JFET en fuente-común, b) Circuito equivalente en alta frecuencia..
La determinación de la ƒH para el amplificador de la figura 3.17.a en donde el transistor JFET trabaja en la
configuración drenador-común se puede realizar a partir del circuito de equivalente en alta frecuencia indicado en
la figura 3.17.b. El análisis de este circuito no es simple y es preciso recurrir a las técnicas empleadas en el
circuito de la figura 3.12. El resultado sería
ƒH =
1
rd R F
R || R G + rd || R F
2 π ( R S || R G )C gd + 2 π
C ds + 2 π S
C gs
rd + R F + g m rd R F
1 + g m ( rd || R F )
VDD
RS
S
+
vs
~
RG
C gs
D
G
RF
(3.27)
RS
vo
G
rd
+
vs
vo
S
vgs
~
RG
C gd
gmvgs
RF
C ds
D
a)
b)
Figura 3.17. a) Amplificador JFET en drenador-común, b) Circuito equivalente en alta frecuencia..
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VDD