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Tema 1
drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a
source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A
continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.
• Región de corte
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensión entre puerta y
fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente
entre drenador y fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como de estrangulamiento o pinch-off y
se representa por VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una
VGS(off)=-2V.
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no
lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una
resistencia variable controlada por tensión. El fabricante proporciona
curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes
valores de VGS tal como se muestra en la figura 1.12. En esta región
el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:
3/ 2
1
2 VDS − VGS
VGS3 / 2
−
rDS (on ) =
VDS −
1/ 2
3 Vp 1 / 2
ID
Vp
VGS > Vp
VGS − Vp ≈ VDS
Figura 1.12. Resistencia drenador-fuentede
un transistor NJFET en la región lineal.
(1.21)
• Región de saturación
En esta región, de similares características que un BJT enla región lineal, el JFET tiene unas características
lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensión
VGS cuya ID es prácticamente independiente de la tensión VDS. La ecuación que relaciona la ID con la VGS se
conoce como ecuación cuadrática o ecuación de Schockley que viene dada por
V
I D = I DSS 1 − GS
Vp
2
VGS > Vp
VDS ≥ VGS − Vp
(1.22)
donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación. Esta corriente se define
como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta característica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de
corriente de valor constante (IDSS). La ecuación 1.22 en el plano ID y VGS representa una parábola desplazada en
Vp. Esta relación junto a las características del JFET de la figura 1.11 permiten obtener gráficamente el punto de
trabajo Q del transistor en la región de saturación. La figura 1.13 muestra la representación gráfica de este punto
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• Región lineal