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Electronica Básica para Ingenieros
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
En este apartado se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente
a sus aplicaciones analógicas.
1.7.- Características eléctricas del JFET
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos
regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 1.10.a se describe un esquema de un
JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFET de canal P.
Drenador
p
Drenador
Drenador
p
Puerta
Puerta
Fuente
Fuente
Fuente
a)
b)
c)
Figura 1.10. a) JFET de canal n. b ) Símbolo de un JFET de canal n. c ) Símbolo de un JFET de canal p.
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En un JFET de canal
n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo