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Tema 1
CIRCUITOS DE POLARIZACION DE TRANSISTORES DE UNION
Polarización de corriente de base
VCC − VBE
I B =
R B + (1 + h FE )R E
I C = h FE I B
1 + h FE
RE
VCE = VCC − I C R C +
h FE
Si I B <<< I C ( h FE >>> 1)
VCC
RB
RC
I ≈ VCC − VBE
B
R B + h FE R E
VCE ≈ VCC − I C ( R C + R E )
RE
Polarización de tensión de base constante
VCC
RC
RB
RE
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VBB − VBE
I B =
R
B + (1 + h FE )R E
I C = h FE I B
1 + h FE
RE
VCE = VCC − I C R C +
h FE
VBB
Autopolarización
VCC
VCC
VBB
RB2
RC
RC
RB
R B1
RE
RE
Indénticas fórmulas al caso anterior, siendo
R B1R B2
R B = R B1 || R B2 =
R B1 + R B2
VBB =
R B1
VCC
R B1 + R B2
Polarización de colector-base
VCC
RC
RB
RE
VCC − VBE
I =
B R + (1 + h )( R + R )
B
FE
C
E
I C = h FE I B
V = I R + V
B B
BE
CE
El transistor nunca entra en saturación
Figura 1.9. Algunos circuitos de polarización típicos con transistores bipolares.
su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilización de los FET:
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
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