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Electronica Básica para Ingenieros
Q y la relación existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarización de un transistor
utilizando métodos gráficos.
ID
recta de carga estática
IDSS
VGS =0
IDQ
Q
–VGS
Vp
VDSQ
VGSQ
VGSQ
VDS
Figura 1.13. Curvas características de un JFET.
Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través de la unión de
puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta
cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa por BVDSS y su valor está comprendido entra 20 y 50 V. Las
tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore.
Por último, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas
anteriormente para el JFET son válidas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla
1.2.
N-JFET
P-JFET
VGS<0
VDS>0
ID>0
Vp<0
VGS>0
VDS<0
ID<0
Vp>0
Tabla 1.2. Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NJFET y PJFET.
N
M
O
S
P
M
O
S
Drenador
Puerta
Puerta
Drenador
Drenador
Puerta
Puerta
Substrato
Fuente
Fuente
Fuente
Fuente
Drenador
Drenador
Drenador
Drenador
Puerta
Puerta
Fuente
– 12 –
Drenador
Puerta
Puerta
Fuente
Fuente
Substrato
Fuente
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
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