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Tema 12
V − VH 200 V − 1.1V
I R = CC
=
≈ 40 mA < I H = 100 mA
R
5kΩ
(12.5)
es menor que la corriente de mantenimiento, luego el SIDAC pasará a estado de corte de forma natural
permitiendo que el condensador se cargue nuevamente a través de R y se repita el proceso indefinidamente. Si se
desea que el SIDAC permanezca en conducción permanente con Vo=VH es preciso asegurar la corriente de
mantenimiento, para lo cual la resistencia R tiene que ser menor que el valor de la resistencia crítica obtenido por
la siguiente expresión
V − VH 200 V − 1.1V
R crítica = CC
=
≈ 2 kΩ
IH
100 mA
(12.6)
El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simétrico para aplicaciones de
disparo más versátil que el SIDAC. Tiene además un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus
características de disparo con pequeños pulsos de corriente (decenas de µA). Su reducido coste, alta velocidad y
capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy útil
en muchas aplicaciones. EL SBS no es solamente un versión mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es
fabricado como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias. La figura 12.7.a muestra
su símbolo, la figura 12.7.b su estructura a nivel circuital y la figura 12.7.c sus características I-V. El MBS4991
de Motorola es un ejemplo típico de un SBS simétrico. Sus parámetros característicos de acuerdo a la gráfica de
la figura 12.7.c son: VS =8 V, IS =175 µA, IH=0.7 mA y VF =1.4 V El disparo de este dispositivo se puede realizar
bien superando la tensión VS o bien aplicando una corriente de puerta IGF=100µA.
A1
G
A2
a)
b)
c)
Figura 12.7. SBS: a) símbolo, b ) circuito equivalente y c ) características I-V.
12.3.- Rectificador gobernado de silicio o SCR
El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o ánodo, C o cátodo y G o gate o puerta
de control) muy similar al diodo de cuatro capas descrito en la anterior sección pero que posee una entrada
adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura 12.8.a se muestra el
símbolo del SCR y en la figura 12.8.b su modelo a nivel transistor. En el modelo a n