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Tema 11
como elemento de control, y un referencia de tensión que proporciona la tensión de referencia y controla a ese
transistor. El funcionamiento de este circuito es el siguiente: si la tensión de salida (Vo) decrece, aumenta la
tensión VBE del transistor e incrementa su corriente lo que permite restaurar la tensión de salida. Por el contrario,
si Vo aumenta, la disminución en la tensión VBE hace disminuir a su vez la corriente del transistor cuyo efecto es
intentar reducir la tensión de salida hasta restaurar Vo al valor deseado.
Vi
R5
VREF
R4
Q1
Q2
Vo
(regulada)
Vi
(no regulada)
R3
Vo
R2
RL
RL
R1
Vref
a)
b)
Figura 11.6. a) Regulador de tensión simple en serie. b ) Regulador de tensión en serie basado en un OA.
Una versión mejorada de este regulador y que se adapta al diagrama de bloques de la figura 11.2 se presenta
en la figura 11.6.b. Está constituido por un referencia de tensión y un OA que controla al Darlington (Q1 y Q2 )
de potencia de salida. Los transistores de potencia tienen una VBE(on)≈ 1V y el valor de hFE es generalmente
mucho menor que los transistores BJT de baja potencia (a veces tan baja como 10). Por esta razón, el elemento de
regulación en serie se implementa generalmente con un par Darlington que ofrece una ganancia en intensidad alta,
típicamente de 1000 o más. En este circuito, el OA actúa como amplificador de error comparando la tensión de
referencia (VREF) obtenida a partir de un referencia de tensión con la obtenida a través de la red de realimentación
formada por un R1 y R2. Como en un OA ideal, Vn=Vp, la tensión de salida de este circuito es
R
Vo = 1 + 2 VREF
R1
(11.3)
11.2.3.- Circuitos de protección
Los reguladores están equipados con un circuito de protección cuyo propósito es limitar la corriente del
elemento en serie (o incluso anularla). Los circuitos de protección se diseñan para estar inactivos bajo condiciones
de operación normal y activarse tan pronto como se intente exceder el correspondiente límite de seguridad. El
propósito del circuito de protección contra sobrecarga es evitar que la corriente que circula por el transistor en
serie exceda un nivel de seguridad predeterminado, como sucedería, por ejemplo, en el caso de cortocircuitar la
salida.
La primera técnica, en su forma más simple, se implementa con otro transistor (Q2) y una resistencia (RSC)
según se indica en la figura 11.7.a. La función de RSC es chequear el valor de IE1 y desarrollar una caída de
I.S.B.N.:84-607-1933-2
Depósito
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R