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Electronica Básica para Ingenieros
tensión de valor suficiente para hacer que el transistor de vigilancia Q2 conduzca cuando IE1 alcance un nivel
predeterminado de seguridad, IE1(max)=ISC (figura 11·.7.b). Esto se consigue imponiendo la condición
V
I o (max) = I SC = BE
R SC
(11.4)
Q1
V
Q2
Vo
R SC
Vo
Io
RL
ISC
.
b)
Figura 11.7. a) Circuito de protección simple y b ) su curva de limitación de corriente.
Incluso con este circuito de limitación de corriente, el transistor en serie se puede calentar excesivamente bajo
condiciones de cortocircuito de larga duración. Por ello, se utiliza también la segunda técnica de protección contra
sobrecarga, denominada limitación de corriente foldback basado en el circuito descrito en la figura 11.8.a. La idea
de la limitación foldback es reducir la corriente y la tensión de la carga cuando ocurren las condiciones de
sobrecarga. En la figura 11.8.b se muestra la característica Vo–Io típica de una fuente de alimentación con
limitación foldback. Una vez que se alcanza la corriente de carga máxima (IFB), el voltaje de salida disminuye y la
corriente de la carga se reduce. Esto reduce la disipación de potencia del regulador y del resto de los componentes
de la fuente de alimentación.
R SC
Vo
Q1
V
Vo
Io
R1
Q2
RL
R2
ISC
IFB
.
a)
Io
b)
Figura 11.8. a) Circuito de protección de corriente “foldback” y b ) su curva de limitación de corriente.
Bajo condiciones normales de carga, R1, R2 y Q2 no tienen efecto en la operación del circuito. Bajo
condiciones de sobrecarga, la caída de tensión en RSC hará que Q2 conduzca, robando corriente de base a Q1 y
produciendo una disminución en la tensión de salida. La disminución de Vo reduce aún más la caída de tensión en
R1, haciendo que Q2 se sature y reduciendo aún más la corriente y la tensión de la carga. Las intensidades IFB e
ISC están dadas por las siguientes ecuaciones
– 194 –
I.S.B.N.:84-607-1933-2
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Legal:SA-138-2001
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a)
Io