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Electronica Básica para Ingenieros
Una aplicación típica de este circuito se presenta en la figura 11.3.b. Una vez ajustado la tensión de salida a
10 V a través de la resistencia RS =1MΩ conectado al terminal 5 (VTRIM) y el potenciómetro de 20kΩ, su
compensación térmica asegura una variación máxima de 0.7mV en la tensión de salida para una variación de 0º a
70º de temperatura. Otros ejemplos de circuitos referencia de tensión monolíticos compensados térmicamente son
el LM329 (National Semiconductor), el LM3999 de 6.95 V (National Semiconductor) y el LTZ100 (Linear
Technology).
VREF = VBE 2 + 2 VT
R2
ln( n )
R1
(11.2)
En la figura 11.5 se presenta el diagrama circuital de un referencia de tensión LM385 (National
Semiconductor) de 2.5V para aplicaciones de micropotencia que utiliza la configuración “band-gap”. La
corriente de polarización varía de 20µA a 20mA y su resistencia dinámica es de 0.4Ω. Otros referencias de
tensión son el AD580/581/584 de Analog Devices, el MC1403/04 de Motorola y REF-01/-02/-05/-10 de
Precision Monolithics.
Vi
R
R
VREF
9V
500kΩ
Q1
Q2
2.5 V
n
LM385
(2.5 V)
R1
R2
Figura 11.4. Referencia de tensión basado
en una configuración “bandgap”.
Figura 11.5. Diagrama del referencia de tensión “bandgap”
LM385 de 2.5 V y una aplicación típica.
11.2.2.- Regulación de tensión en serie
El circuito de la figura 11.6.a es un sencillo regulador de tensión construido mediante un transistor bipolar,
– 192 –
I.S.B.N.:84-607-1933-2
Depósito
Legal:SA-138-2001
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Los referencia de tensión basados en diodos Zener tienen valores a partir de 6 a 7 V que requieren en los
referencias de tensión monolíticos tensiones de alimentación de al menos 10 V. Esto puede ser un inconveniente
en sistemas alimentados con tensiones más bajas, tales como 5V. Este problema se soluciona utilizando las
referencias de tensión "bandgap". Las referencias de tensión "bandgap" operan compensando el coeficiente de
temperatura negativo de una tensión base–emisor, VBE, con el coeficiente de temperatura positivo de la tensión
térmica VT. Analog Devices desarrolló una configuración “bandgap” constituida por dos transistores de
diferente área muy estable con la temperatura, que utiliza dos transistores de áreas de emisor distintas. En la figura
11.4 se presenta el esquema de este circuito. Q1 tiene un área de emisor n veces mayor que la de Q2 de forma que
IS1=nIS2. La tensión de salida VREF es