Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa
Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de
deplección, al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado
que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio,
originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva
necesariamente la destrucción del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se
mantenga en niveles admisibles).
2.4 Característica tensión-corriente
La Figura 9 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.
Figura 9: Característica V-I de un diodo de unión PN.
En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento
explicadas en el apartado anterior:
Región de conducción en polarización directa (PD).
o Región de corte en polarización inversa (PI).
o Región de conducción en polarización inversa.