Технодоктрина - новая молодёжная промышленная политика Технодоктрина, ноябрь 2014 | Page 207
упрощенное представление слоев новой гетеростуктуры.
Простые оценки показывают, что после незначительной доработки технологии на основе новых гетероструктур практически при той же себестоимости
можно получить ещё более впечатляющие результаты71, а именно:
1) оптимизируя параметры гетероструктуры и
используя T-образный или Г-образный затвор длиной менее 0,25 мкм, можно получить полевые транзисторы в Х-диапазоне с удельной выходной мощностью 3 Вт/мм при коэффициенте усиления 13–14
дБ и КПД при настройке на максимальную мощность
55–60%,
2) используя полевой электрод при той же
длине затвора, удельную выходную мощность транзисторов на основе GaAs можно увеличить до 6 Вт/
мм при коэффициенте усиления 8–10 дБ и КПД при
настройке на максимальную мощность 55–60% (уровень мощности нитрида галлия, но коэффициент усиления в 1,5–2 раза выше).
Заключение
7 Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлёв К.С., Торопов А.И., Лапин
В.Г., Голант Е.И., Капралова А.А. Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным
легированием // Физика и техника полупроводников. 2014. – Т. 48,
вып. 5.– С. 684–692.
Представлены результаты разработки нового
типа мощных полевых транзисторов Х-диапазона
длин волн на основе арсенидгаллиевых гетероструктур с дополнительными потенциальными барьерами,
сформированными с помощью слоёв, легированных
донорами и акцепторами. Транзисторы на новой гетороструктуре показали почти двукратное увеличение выходной мощности и коэффициента усиления. В
ближайшее время, после незначительной доработки
технологии, могут быть получены транзисторы на основе GaAs по мощности соответствующие транзисторам на основе GaN.
Это уникальная прорывная технология основана
на фундаментальных исследованиях, проведённых
коллективом авторов из ОАО НПП «Исток» им. Шокина и ИФП СО РАН. Ее можно использовать для
серийного производства транзисторов уже сегодня. Однако её невозможно быстро коммерциализировать, о чем мечтают все бизнесмены и на что
направлена вся современная российская политика,
однако именно эта технология может обеспечить
технологическое лидерство нашей страны в области
СВЧ электроники.
Поэтому, чтобы обеспечить технологическое лидерство России в будущем, необходимо равномерно
распределять финансовую поддержку государства
как на быстро реализуемые инновационные проекты, так и на фундаментальные исследования.
205