Технодоктрина - новая молодёжная промышленная политика Технодоктрина, ноябрь 2014 | Seite 206

сийские учёные два года назад нашли уникальный технический приём, позволяющий вывести характеристики
транзисторов на основе GaAs на уровень характеристик СВЧ транзисторов на основе GaN.
Основная часть
Выходные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов определяются многими факторами:
параметрами гетероструктуры, размерной обработкой, топологией, конкретным технологическим маршрутом
изготовления и т.д. Однако именно оптимальная конструкция и высокое качество гетероструктуры определяют основные электрофизические характеристики структуры pHEMT (подвижность