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Tema 2
En la ecuación 2.28, gm es un parámetro definido por cociente de incrementos que se pueden aproximar por
derivadas, de forma que aplicando esta definición a la ecuación 2.29 y resolviendo se obtiene que
dI D
dVGS V
gm =
=−
DSQ
2 I DSS
VGS
2
I D I DSS
1 −
=−
VP
VP
VP
(2.30)
En un transistor MOS, cuya ecuación analítica en la región de saturación es
ID =
˚
2
VGS − VT )
(
2
o VGS − VT =
2 ID
˚
(2.31)
gm se puede expresar mediante la siguiente ecuación
= ˚ (VGS − VT ) = 2 I D ˚
dI D
dVGS V
DSQ
(2.32)
• Resistencia de salida o de drenador rd. Se define como
rd =
∆VDS
∆I D V
GSQ
V − VDS1
≅ D2
I D1 − I D2 V
v
= ds
id V
DSQ
GSQ
(2.33)
• Factor de amplificación µ. Relaciona los parámetros gm y rd de la siguiente manera
µ=
∆VDS
∆I D ∆VDS
=
= g m rd
∆VGS ∆VGS ∆I D
(2.34)
Las definiciones gráficas de gm y rd se encuentran en las figuras 2.18.a y 2.18.b. Las gráficas de la figura
2.19, extraídas de las hojas de características proporcionadas por el fabricante, muestran la variación de estos
parámetros con la ID para un JFET típico.
ID
ID
ID2
IDQ id
vGS2
2
Q
ID1
vgs
VGSQ
vGS1
ID2
IDQ
ID1
VGSQ
id
Q
1
1
VDSQ
2
vds
VDS
VDS1
VDSQ
a)
VDS2 V
DS
b)
Figura 2.18. Definición gráfica de a) gm y b ) rd.
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
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gm =