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Electronica Básica para Ingenieros
B
gm =
Cµ
ib
+
v –
rπ
Cπ
ic
C
rµ
gm•v
I CQ
VT
h
rπ = fe = h ie
gm
−1
ro = h oe
rµ = h fe ro
ro
ie
wT =
E
gm
C π + Cµ
Figura 2.16. Modelo π o de Giacoletto simplificado de un transistor bipolar NPN y su relación con los parámetros h.
El circuito equivalente de pequeña señal de un transistor FET se puede obtener por métodos análogos a los
utilizados en transistores bipolares. Sin embargo, al ser dispositivos controlados por tensión, el modelo bipuerta
más adecuado es el de parámetros {Y}, ya que relacionan las corrientes de salida con tensiones de entrada. La
figura 2.17 representa el modelo de pequeña señal de un FET constituido por dos parámetros: gm, o factor de
admitancia, y rd, o resistencia de salida o resistencia de drenador. Esta notación es la más extendida para describir
estos parámetros, aunque algunos fabricantes utilizan la notación en parámetros {Y} o {G}, denominando yfs o
−1
−1
gfs a gm, e y os
o gos
o ross a rd. Estos parámetros dependen de la corriente de polarización del transistor (ID), y
el fabricante proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes condiciones de polarización. A
continuación se describe con más detalle los parámetros gm y rd.
id
G
vgs
gmvgs
D
rd
id
S
Figura 2.17. Modelo de pequeña señal de un transistor FET.
• Factor de admitancia gm . Se define este parámetro como
gm =
∆I D
∆VGS V
DSQ
≅
I D2 − I DS1
i
= d
VGS1 − VGS2 V
vgs
VDSQ
DSQ
(2.28)
En un JFET, gm se puede extraer a partir de la ecuación analítica del transistor en la región de saturación que
relaciona la ID con la VGS, definida por
V
I D = I DSS 1 − GS
VP
– 36 –
2
V
o 1 − GS =
VP
ID
I DSS
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
(2.29)
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2.8.- Modelo de pequeña señal para transistores FET