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Tema 1
NMOS
PMOS
VGS>0
VDS>0
ID>0
VT>0
VGS<0
VDS<0
ID<0
VT<0
Tabla 1.3. Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NMOS y PMOS.
Por último, señalar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y
tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.
Los circuitos básicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET
tiene el inconveniente de que la tensión VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige
unos circuitos de polarización característicos para este tipo de dispositivos. En este apartado únicamente se
presentan dos de los circuitos más utilizados: polarización simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de tensión
externa para generar una VGS<0, y autopolarización (figura 1.18), la caída de tensión en la resistencia RS debida a
ID permite generar una VGS<0.
VCC
2
V
GS
I D = I DSS 1 −
Vp
VGS = − VGG
V =I R +V
D L
DS
DD
RL
NJFET
RG
–VGG
a)
b)
ID
VCC=IDR L+VDS
IDSS
VGS =0
IDSQ
Q
–VGS Vp
-V GG
VDSQ
VGSQ=VGG
VDS
c)
Figura 1.17. Circuito de polarización simple de un NJFET. a) Diagrama circuital. b )
Representación gráfica del punto de trabajo.
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
Ecuaciones analíticas. c )
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1.9. Polarización de los FET