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Electronica Básica para Ingenieros
V2
I D = ˚ (VGS − VT )VDS − DS
2
0 < VDS < VGS − VT y VGS > VT
(1.23)
siendo
˚ =k
W
L
(1.24)
ID
LINEAL
un parámetro característico del MOS que depende de la tecnología a través de la constante k y del tamaño de la
puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).
SATURACIóN
+5
+4
SATURACIóN
CORTE
+VGS
VT
VDS
Figura 1.16. Curvas de características de un NMOS.
• Región saturación
El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS. Verifica las siguientes
ecuaciones:
˚
2
VGS − VT )
(
2
0 < VGS − VT < VDS y VGS > VT
ID =
(1.25)
siendo ß el parámetro descrito en la ecuación 1.24. En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID se
representa en la gráfica de la izquierda de la figura 1.16, y de una manera similar a los transistores JFET, puede
ser utilizada para determinar por métodos gráficos el punto de polarización de los transistores aunque rara vez se
recurre a ellos.
• Región de ruptura
Un transistor MOS puede verse afectado por fenómenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y
roturas en la capa de óxido fino de la puerta que pueden dañar irreversiblemente al dispositivo.
– 14 –
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
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+3
VGS =+2