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Tema 1
en corte cuando esas corrientes son muy bajas. Normalmente, se asigna una VBE umbral (VBEγ ) a partir de la cual
las corrientes tienen un valor suficientemente alto; esta VBEγ suele estar comprendida entre 0.4 y 0.5 V. En la
figura 1.5 se muestra gráficamente la relación entre la VBE y la IC en donde se puede observar como por debajo
de 0.58 V (typ) la corriente de colector es de bajo valor (<100µ)
• Región de saturación
En la región de saturación las uniones de emisor y colector están polarizadas en directa; la VBE y la VBC
tienen tensiones superiores 100mV. En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll quedan reducidas a
I E = I ESe VBE / VT − α R I CSe VBC / VT
I C = α F I ESe VBE / VT − I CSe VBC / VT
(1.13)
La caída de tensión entre el colector y emisor es muy baja debido a que ambas uniones pn se encuentran
directamente polarizadas. De esta manera, se verifica que
(1.14)
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VCE (sat ) = VBE (sat ) − VBC (sat )
siendo, de 1.13,
1 + IC 1
α
IB βR
VCE (sat ) = VT ln R
I 1
1+ C
I B β F
I + I (1 − α R )
VBE (sat ) = VT ln B C
I ES (1 − α R α F )
α I − I (1 − α F )
VBC (sat ) = VT ln F B C
I CS (1 − α R α R )
(1.15)
Los valores típicos de la VCE(sat) están próximos a 0.1 o 0.2 V y la
VBE(sat) es ligeramente superior a la de la región lineal (≈0.8 V). El
transistor está operando con una relación ßF (sat)=IC/IB variable e
inferior a la ßF de la región lineal. En la figura 1.6 aparece una curva
típica que proporciona el fabricante relacionando la VCE(sat) con la IC
realizada con una ßF(sat)=20. La VCE(sat) está comprendida entre 70mV
y 200mV, y por ello, en muchos circuitos se considera prácticamente 0
V. En esta región el transistor se comporta de una manera no lineal.
Figura 1.6. Curva de VCE(sat) con IC.
• Región de ruptura
Las tensiones máximas que pueden soportar las uniones pn inversamente polarizadas se denominan
tensiones de ruptura. Cuando se alcanza estas t [