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Electronica Básica para Ingenieros
para un transistor NPN, son:
I E = I ES
(e
VBE / VT
I C = α F I ES
(e
(e V
− 1) − I CS (e V
)
− 1 − α R I CS
VBE / VT
BC
/ VT
BC
/ VT
)
− 1)
−1
(1.3)
donde IES y ICS representan las corrientes de saturación para las uniones emisor y colector, respectivamente,
α F el factor de defecto y α R la fracción de inyección de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP,
las ecuaciones de Ebers-Moll son:
I E = I ES
(e
VEB / VT
I C = α F I ES
(e
(e V
− 1) − I CS (e V
)
− 1 − α R I CS
VEB / VT
CB
/ VT
CB
/ VT
)
− 1)
−1
(1.4)
α F I ES = α R I CS
(1.5)
REGION DIRECTA
VCB≈0 V
IB4
IB3
LINEAL
RUPTURA
IC
SATURACION
Valores típicos de estos parámetros son: α F =0.99, α R=0.66, IES=10-15A y ICS=10-15A .
IB2
IB1
CORTE
VCE
Figura 1.2. Zonas de operación de un transistor en la región directa.
Unión de emisor
Directa
Inversa
Inversa
Directa
Unión colector
Inversa
Directa
Inversa
Directa
Modo de operación
Activa directa
Activa inversa
Corte
Saturación
Tabla 1.1. Principales modos de operación de un transistor bipolar.
1.3.- Modos de operación de un transistor bipolar
En general, los transistores bipolares de circuitos analógicos lineales están operando en la región activa
directa. En esta región existe cuatro zonas de operación definidas por el estado de las uniones del transistor
–2–
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Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parámetros están relacionados mediante el teorema de
reciprocidad