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www.elsolucionario.net Electronica Básica para Ingenieros para un transistor NPN, son: I E = I ES (e VBE / VT I C = α F I ES (e (e V − 1) − I CS (e V ) − 1 − α R I CS VBE / VT BC / VT BC / VT ) − 1) −1 (1.3) donde IES y ICS representan las corrientes de saturación para las uniones emisor y colector, respectivamente, α F el factor de defecto y α R la fracción de inyección de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP, las ecuaciones de Ebers-Moll son: I E = I ES (e VEB / VT I C = α F I ES (e (e V − 1) − I CS (e V ) − 1 − α R I CS VEB / VT CB / VT CB / VT ) − 1) −1 (1.4) α F I ES = α R I CS (1.5) REGION DIRECTA VCB≈0 V IB4 IB3 LINEAL RUPTURA IC SATURACION Valores típicos de estos parámetros son: α F =0.99, α R=0.66, IES=10-15A y ICS=10-15A . IB2 IB1 CORTE VCE Figura 1.2. Zonas de operación de un transistor en la región directa. Unión de emisor Directa Inversa Inversa Directa Unión colector Inversa Directa Inversa Directa Modo de operación Activa directa Activa inversa Corte Saturación Tabla 1.1. Principales modos de operación de un transistor bipolar. 1.3.- Modos de operación de un transistor bipolar En general, los transistores bipolares de circuitos analógicos lineales están operando en la región activa directa. En esta región existe cuatro zonas de operación definidas por el estado de las uniones del transistor –2– I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001 www.elsolucionario.net Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parámetros están relacionados mediante el teorema de reciprocidad