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Tema 1
TEMA 1
Características del transistor bipolar y
FET: Polarización
1.1.- Introducción
C
VCB
E
IC
VEB
IE
VCE
B
VEC
B
IB
IB
IE
VBE
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El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se
introducen las principales características básicas del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos básicos de
estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización. Polarizar un transistor es una
condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en
continua que van a circular por el dispositivo.
IC
VBC
E
a)
b)
Figura 1.1. Símbolos y sentidos de referencia para un transistor bipolar a) NPN y b ) PNP.
1.2.- Corrientes en un transistor de unión o BJT
Un transistor bipolar de unión está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el transistor
está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la región de base muy delgada
(< 1µm). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las
corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en
la figura 1.1.b a un PNP. En ambos casos se verifica que
I E = IB + IC
(1.1)
y
VCE = VCB + VBE en transistores NPN
VEC = VEB + VBC en transistores PNP
(1.2)
Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del
transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que,
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
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