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www.elsolucionario.net Tema 1 TEMA 1 Características del transistor bipolar y FET: Polarización 1.1.- Introducción C VCB E IC VEB IE VCE B VEC B IB IB IE VBE www.elsolucionario.net El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se introducen las principales características básicas del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos básicos de estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización. Polarizar un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo. IC VBC E a) b) Figura 1.1. Símbolos y sentidos de referencia para un transistor bipolar a) NPN y b ) PNP. 1.2.- Corrientes en un transistor de unión o BJT Un transistor bipolar de unión está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la región de base muy delgada (< 1µm). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un PNP. En ambos casos se verifica que I E = IB + IC (1.1) y VCE = VCB + VBE en transistores NPN   VEC = VEB + VBC en transistores PNP (1.2) Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001 –1–