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Electronica Básica para Ingenieros
P7.11
Un transistor de potencia, de silicio, tiene las
siguientes especificaciones térmicas:
PD(máx)=20W, θja=7 ºC/W y θjc=0.7 ºC/W.
a) Obtener la temperatura máxima de la
unión.
b) El transistor está montado directamente
sobre un radiador de calor de aluminio
que tiene θra= 4 ºC/W y la resistencia
térmica cápsula-radiador es de θcr= 0.2
ºC/W. Hallar la máxima disipación
permisible.
P7.12
Un transistor tiene un encapsulado TO.126 y
una temperatura Tj máxima de 150ºC.
Determinar la potencia máxima que puede
disipar sin aleta, en el caso que la temperatura
ambiente nunca sea inferior a 45 ºC. En estas
condiciones, indicar la resistencia térmica
máxima de la aleta que permita duplicar la
anterior potencia máxima.
P7.13
Un diodo Zener de 2 W debe disipar 5 W y la
temperatura máxima de la unión es 175ºC.
Calcular la θja. Si la temperatura ambiente de
50ºC y θjc=15 ºC/W, determinar la máxima
resistencia térmica entre la cápsula-ambiente
que evite dañar al diodo. Si el encapsulado del
diodo es del tipo TO.202, proponer un tipo de
aleta que verifique todos los requerimientos.
P7.14
La etapa clase AB del problema P7.5 va a ser
construido con transistores 2N3904 y 2N3906.
Determinar el valor de la resistencia térmica de
la aleta refrigeradora que asegure el correcto
funcionamiento de los transistores en el peor
caso.
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I.S.B.N.:84-607-1933-2
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es de 50ºC.
Depósito
Legal:SA-138-2001