www.elsolucionario.net
Tema 4
del transistor N-JFET.
Calcular el punto de trabajo del
transistor bipolar (ICQ, IBQ, VCEQ)
Obtener la AV, Zi y Zo (hre=hoe=0).
VCC
b)
R C2
R C1
RB
c)
vo
RS
Q1
VCC=12 V
R B=10MΩ
R C1 =2k2Ω
R C2 =500Ω
R F=1k2Ω
R E=50Ω
Q2
+
vs
RE
RF
P4.10
Suponiendo que la ganancia de lazo del circuito
de la figura P4.10 sea mucho mayor que la
unidad (ßA>>1), comprobar que la ganancia de
tensión del amplificador realimentado viene
dada por
R (R + R F + R5 )
A Vf ≅ − 3 4
R 4R5
Figura P4.7
P4.8
Proponer un valor a RF del circuito de la figura
P4.8 para que Zi < 300Ω.
VCC
R3
R2
R1
RC
RF
RS
vo
vi
vo
Zi
Q1
Q2
Q3
R C=4kΩ
R S=600Ω
+
vs
hfe=50
hie=1kΩ
hoe=h re=0
Figura P4.8
P4.11
RC
vo
2N5457
VGS(off)≈-3.5V
BC547B
+
vi
R S1
RE
R S2
VCC=20 V
R C=3.3kΩ
R D=6kΩ
R S1 =1kΩ
R S2 =1kΩ
R E=10kΩ
R F=10kΩ
RF
Obtener el modelo equivalente referido a la
entrada vs del amplificador realimentado de la
figura P4.11.
En la figura P4.9 se muestra un amplificador
constituido por dos etapas, una etapa
amplificadora básica basada en el N-JFET
2N5457 y otra en el transistor bipolar BC547B.
Para este circuito, se pide:
a) Determinar utilizando gráficas el
punto de trabajo (IDQ, VDSQ, VGSQ)
R4
R 1 =R2 =R3 =10kΩ
R 4 =40kΩ
R 5 =30kΩ
R S=5kΩ
VCC
R1
hfe=50
hie=1kΩ
hoe=h re=0
Figura P4.9
P4.9
R5
Figura P4.10
VCC
RD
RF
R4
R2
R3
vo
RS
+
R5
vs
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
Figura P4.11
– 87 –
www.elsolucionario.net
VCC