Diseño de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnología GaN-HEMT
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Figura 11. Formas de onda de eficiencia (PAE), potencia de salida (Pout_dBm) y
ganancias (Gt,Gp) contra potencia disponible en la fuente con TX ideales
En la figura 10 se puede determinar que la eficiencia
con potencia disponible en la fuente de 29 dBm y la
del diseño del PA clase F inverso es aproximadamente
potencia de salida máxima es 40 W (Pout = 42 dBm).
del 72 % (η = 72 %) con potencia disponible en la
Por tanto, se puede decir que el modelo con líneas
fuente de 29 dBm, mientras la potencia de salida
ideales presenta menos pérdidas que con líneas reales,
Por su parte, en la figura 11 se puede establecer
Los diseños completos se presentan en las figuras
máxima es 40 W (Pout = 40 dBm).
logrando mayores valores en eficiencia y ganancia.
que la eficiencia del diseño del PA clase F inverso con
12, 13 y 14.
líneas ideales es aproximadamente del 76 % (η = 76 %),
Figura 12. Red de salida del amplificador clase F inverso con líneas de transmisión reales
V IAG ND
V1
S ubs t="MS ub1"
D=0. 375 mm
T =0. 035 mm
1 R ho=1. 0
W =0. 8 mm
muR ata
MUR AT AInclude
muR ata
1
V IAG ND
V2
S ubs t="MS ub1"
D=0. 375 mm
T =0. 035 mm
1 R ho=1. 0
W =0. 8 mm
1
G R M18
C7
P artNumber=G R M1885C2A470J A01
3
1
1
2
1
MLE F
T L25
S ubs t="MS ub1"
W =1. 687 mm
L=12. 99 mm
MT E E _ADS
T ee1
S ubs t="MS ub1"
W 1=1. 687 mm
W 2=1. 687 mm
W 3=0. 8 mm
1
MLIN
T L32
S ubs t="MS ub1"
W =1. 687 mm
L=1. 15 mm
V IN1 1
1 2
I_P robe
I_In1
42
2 1
I_P robe
I_Di
1
1
2
1
2
L
C
L4
C4
L=0. 45 nH
C=1. 46 pFR =
1
2
2
MT RR