Diseño de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnología GaN-HEMT
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Figura 7. Red de entrada diseñada, con líneas ideales
1
V _DC
S R C1
V dc=-2.7 V
21
1
1
1
TLIN
TL22
Z=50.0 Ohm
E =F
2 F =3.5 G Hz
TLIN
TL21
Z=50.0 Ohm
E =G
F =3.5 G Hz
1
2
1
2
C
C6
C =13.0 pF
1
2
1
TLIN
TL24
Z=50.0 Ohm
E =H
F =3.5 G Hz
Como los diseños presentados se encuentran en
líneas ideales, el siguiente paso es convertirlos a
líneas reales utilizando el comando de LineCalc que
2
TLIN
TL18
1
Z=50.0 Ohm
TLIN
E =45
TL19
F =3.5 G Hz
Z=50.0 Ohm
E =90
2 F =3.5 G Hz
2
TLIN
TL20
Z=50.0 Ohm
E =90
F =3.5 G Hz
2
R
R1
R =20 Ohm
2
1
2
TLIN
TL23
Z=50.0 Ohm
E =-H+180
F =3.5 G Hz
1
4
C G H40010F _r6_C G H40_r6
X1
tcas e=25
crth=5.0
C ree C GH40010F
3
1
Resultados
Los resultados que se detallan en esta sección son
viene con el software ADS . Como recomendación
una comparación entre el diseño en líneas ideales fren-
diseño por completo de una sola vez, sino realizar
resultados con el dispositivo físico implementado,
®
de los diseñadores se sugiere no cambiar todo el
los cambios por bloques siguiendo el método de
diseño presentado, con el fin de ir haciendo ajustes
pequeños y llevar el control de los resultados; de no
proceder de esta manera, lo más probable es que al
final no se entienda el diseño y no se sepa dónde se
deben hacer los ajustes correspondientes, debido a
que el comportamiento de las líneas de transmisión
ideales comparadas con las líneas de transmisión
te al diseño en líneas reales; no es posible presentar
debido a que el diseño es solo una parte de uno más
grande y se espera implementar todo el dispositivo
cuando se tengan los demás diseños. En las figuras
8 y 9 se presentan la formas de onda de la señales de
voltaje (línea continua) y corriente (línea marcada)
para el PA clase F inverso diseñado, utilizado líneas
de transmisión reales e ideales.
reales poseen algunos cambios.
Figura 8. Formas de onda de voltaje y corriente en el tiempo accediendo al drain intrínseco con TX reales
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Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44