Moreno Rubio, Cuevas & Tinjacá Soler
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Figura 3. Circuito equivalente con IDS = 0
Drain intrínseco
Drain extrínseco
Lp=0.45nH
Cp=1.46pF
El valor Lp es la inductancia parásita y el valor Cp
colocar elementos de valores negativos; pero como
es la capacitancia parásita del dispositivo. Como la
se sabe que en la práctica estos elementos no son
tivo, se deben poner los valores negativos de la red
la red parásita después de los elementos de medida
idea es poder acceder al drain intrínseco del disposi-
parásita encontrada; este procedimiento se realiza con
el fin de cancelar los efectos internos del dispositivo.
Luego de tener acceso al drain intrínseco se ubican
dos elementos de prueba, los cuales consisten en un
amperímetro y un voltímetro. Este proceso puede
llevarse a cabo en simulación, debido a que es viable
posibles de conseguir, es necesario volver a colocar
y lo que se hace es una compensación por medio de
líneas de trasmisión para así cancelar los efectos no
deseados. El procedimiento descrito se puede observar
gráficamente en la figura 4 (en Moreno, Angarita y
Cuevas, 2014, se presenta el procedimiento en detalle).
Figura 4. Forma de acceder al drain intrínseco en simulación
Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44
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