Diseño de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnología GaN-HEMT
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modo de control de armónicos como uno de clase F
inverso, de manera que se tenga carga óptima para la
Figura 1. Clase de operación definida como el
ángulo de conducción de la corriente de salida
frecuencia fundamental, circuito abierto o alta impe-
dancia en el segundo armónico y corto circuito para
el tercero; para ello se utiliza un dispositivo HEMT
CGH40010 y, por último, se lleva a cabo la simulación
del amplificador diseñado con el fin de verificar las
formas de onda de voltaje y corriente de drain.
Diseño del
amplificador
clase F inverso
Como ya se mencionó, el diseño a presentar se encuentra polarizado en clase AB. Esta clasificación de
Figura 2. Punto de polarización con el dispositivo inactivo
los PA se determina según el ángulo de conducción
de corriente ϕ o punto de polarización (tabla 1) (Colantonio, Giannini & Limiti, 2009).
Tabla 1. Clasificación de los PA en
términos del punto de polarización
Clase de operación
Ángulo de conducción de
corriente ϕ
A
Φ = 2*Π
AB
Π < Φ < 2*Π
B
Φ=Π
C
Φ<Π
En las figuras 1 y 2 se presenta las formas de onda
de la señal de corriente en el tiempo para el drain
del dispositivo y las curvas de corriente de drain (ID)
contra voltaje drain surce (VDS).
Debido a que el CGH40010 es un transistor de
efecto de campo (FET), tiene elementos reactivos
intrínsecos asociados al dispositivo en la entrada y
en la salida; estos elementos forman las denominadas
redes parásitas (Moreno, Angarita, & Cuevas, 2014).
Siguiendo el método propuesto en Moreno, Angarita
y Cuevas (2014) se llega a determinar que la red pará-
sita asociada al dispositivo CGH40010 es (figura 3):
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Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44