Diseño de un amplificador clase F inverso a 3.5 GHZ usando tecnología GaN-HEMT
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Design of a 3.5 GHZ inverse class F
Projeto de um amplificador tipo F inverso
amplifier using GaN-HEMT technology
a 3.5 GHZ usando tecnologia GaN-HEMT
abstract
This paper explains the method for designing an
efficient high-efficiency polarized class-AB power
amplifier with inverse class-F configuration for
tuning with harmonics. A GaN-HEMT CGH40010
commercial active device will be used in order
to adequately characterize the device and enable
observation of the I_DS and V_DS waveforms
obtained by configuring high impedance at the
second harmonic and short circuit at the third
harmonic. The paper also explains the most
important parameters to be taken into account
in the design of the input and output coupling
networks and the verification of the results using
Advanced Design System® software.
resumo
No presente artigo apresenta-se o método de
projeto de um eficiente amplificador de potência
para alta frequência, polarizado em tipo AB e em
configuração tipo F inverso para sintonização de
harmônicos. Para isso se emprega um dispositivo
ativo comercial GaN-HEMT CGH40010, com o
propósito de fazer a caracterização adequada do
dispositivo e poder apreciar as formas de onda de
corrente I_DS e de voltagem V_DS que se obtém ao
configurar a alta impedância ao segundo harmônico
e curto circuito no terceiro harmônico. Também
são explicados os parâmetros mais importantes a
levar em consideração para o desenho das redes
de acople de entrada e de saída e a verificação de
resultados por meio do software Advanced Design
System®.
keywords: power amplifier, inverse
class-F, GaN-HEMT, gain, efficiency
palavras-chave: amplificador de potência, tipo
F inverso, GaN-HEMT, ganho, eficiência.
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Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44