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Diseño de un amplificador clase
F inverso a 3.5 GHZ usando
tecnología GaN-HEMT
Jorge Julián Moreno Rubio, Ph. D.
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
William Alexander Cuevas, M. Sc.(c)
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Jonathan Javier Tinjacá Soler
Estudiante Ing. Electrónica
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Recibido: 11 de octubre de 2014
Aceptado: 19 de marzo de 2015
resumen
En el artículo se presenta el método de diseño de un eficiente amplificador de potencia para alta frecuencia,
polarizado en clase AB y en configuración clase F inverso para sintonización de armónicos. Para ello se
emplea un dispositivo activo comercial GaN-HEMT CGH40010, con el propósito de hacer la caracterización
adecuada del dispositivo y poder apreciar las formas de onda de corriente y de voltaje que se obtiene al
configurar la alta impedancia al segundo armónico y corto circuito en el tercer armónico. Se explican además
los parámetros más importantes a tener en cuenta para el diseño de las redes de acople de entrada y de
salida y la verificación de resultados por medio del software Advanced Design System®.
palabras clave
Amplificador de potencia, clase F inverso, GaN-HEMT, ganancia, eficiencia.
Ing. negocios innov. | ene.-jun. | 2015 | Vol. 1 | No. 1 | pp. 33-44
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