Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco práctico, dado su carácter no
lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación del modelo ideal del diodo
de unión PN, considerando las siguientes simplificaciones:
En inversa, la corriente a través de la unión es nula.
En directa, la caída de tensión en la unión PN (V ON ) es constante e independiente de la
intensidad que circule por el diodo.
Para calcular el valor de V ON se considera un diodo de unión PN de silicio con una I S = 85 fA a
una temperatura ambiente de T=25 ºC. El potencial térmico a esa temperatura es V T =27 mV.
Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuación ideal del diodo queda:
A partir de esta expresión, se puede calcular la caída de tensión en el diodo para las magnitudes
de corriente habituales en los circuitos electrónicos. Por ejemplo, para un intervalo de corrientes
1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V