R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensión que
se está aplicando en la unión PN, siendo I la intensidad que circula por el componente y
V la tensión entre terminales externos.
I S , es la corriente inversa de saturación del diodo. Depende de la estructura, del
material, del dopado y fuertemente de la temperatura.
La representación gráfica de este modelo se muestra en la Figura 11:
Figura 11: Representación gráfica del modelo del diodo real.
Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensión de ruptura en inversa.
El modelo puede completarse mediante la adición de nuevos parámetros que incluyan efectos no
contemplados en la teoría básica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en los programas
simulación por ordenador constan de hasta quince parámetros. Sin embargo, a la hora de
realizar cálculos sobre el papel resulta poco práctico. Por ello es habitual realizar simplificaciones
del modelo para obtener soluciones de modo más simple.
3.1.2 Modelo ideal del diodo de unión PN.
El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes simplificaciones:
Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.
Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y que, por lo tanto, la
caída de tensión en las zonas P y N es muy pequeña, frente a la caída de tensión en la
unión PN.
Para V<0, el término exponencial es muy pequeño, despreciable frente a la unidad. Entonces la
intensidad tiende al valor I S , que como ya se había indicado anteriormente, es la corriente
inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece rápidamente por encima de la unidad.
3.1.3 Modelo lineal por tramos