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Tema 2
• ho e
h oe =
∆I C
I C2 − I C1
i
≅
= c
∆VCE I
VCE 2 − VCE1 I
vce I
BQ
BQ
BQ
(2.15)
La definición gráfica de hoe se encuentra en la figura 2.7.b. Valor típico hoe=24µA/V =
−1
24µΩ– 1 ⇒ h oe = 41.5kΩ .
• hi e:
h ie =
∆VBE
V
− VBE1
v
≅ BE 2
= be
∆I B V
I B2 − I B1 V
ib V
CEQ
CEQ
CEQ
(2.16)
La definición gráfica de hie se encuentra en la figura 2.7.c. Valor típico hie=5kΩ.
h re =
∆VBE
V
− VBE1
v
≅ BE 2
= be
∆VCE I
VCE 2 − VCE1 I
vce I
BQ
BQ
BQ
(2.17)
La definición gráfica de hre se encuentra en la figura 2.7.d. Valor típico hre=3•10-4.
Los parámetros {H} varían de un transistor a otro. Pero además, en cada transistor varían principalmente con
la corriente de colector y con la temperatura. En la figura 2.8 se muestran dos gráficas normalizadas para un
transistor PNP: la primera (figura 2.8.a) indica el porcentaje de variación de los parámetros h respecto a los
parámetros medidos con una IC=-1.0mA y VCE=-5V, y la segunda gráfica (figura 2.8.b) indica su porcentaje de
variación respecto a los medidos a la temperatura a 25ºC. El fab