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Tema 1
V − 0.7V
I
= CC
BQ
RB
I CQ = h FE I BQ
V
= VCC − I CQ R C
CEQ
(1.17)
recta de carga estática
IC
VCC
RB
curva de potencia máxima
VCC
RC
RC
IC
IB
Q
ICQ
IBQ
Pmax=I CVCE
VCEQ
VCE
b)
Figura 1.8. a) Circuito de polarización; b ) Representación gráfica del punto de trabajo Q.
En la figura 1.8.b se muestra la representación gráfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a
través de tres parámetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada
recta de carga estática: si Q se encuentra en el límite superior de la recta el transistor estará saturado, en el límite
inferior en corte y en los puntos intermedios en la región lineal. Esta recta se obtiene a través de la ecuación del
circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas características del transistor de la figura
1.8.b, corresponde a una recta. La tercera ecuación de (1.17) define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al
circuito de polarización, de forma que
VCC = VCE + I C R C
(1.18)
Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a)
VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura1.8.b
y representan los cortes de la recta de carga estática con los ejes de coordenadas.
Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarización de un transistor es seleccionar la situación
del punto Q. La selección más práctica es situarle en la mitad de la recta de carga estática para que la corriente de
colector sea la mitad de su valor máximo, condición conocida como excursión máxima simétrica. Evidentemente
esta es una condición de diseño que asegurará el máximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo
de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operación del transistor que exige un
desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situación del punto Q estará definida por las
diferentes restricciones.
1.4.1- Potencia de disipación estática máxima (PCMAX)
Un transistor de unión polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus terminales que le hacen disipar
energía. Esta potencia de disipación se puede obtener aplicando la definición de potencia absorbida por un
elemento tri-terminal, que en caso del transistor, se expresa como
I.S.B.N.: 84-607-1933-2 Depósito Legal: SA-138-2001
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a)
VCC