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Tema 7
7.10.2.- Transistores MOS de potencia
Los transistores MOS de potencia, similar a los transistores bipolares anteriores, son capaces de manejar
niveles de tensión y corrientes elevados. Los transistores MOS de pequeña señal tienen una estructura
incompatible para aplicaciones de potencia. Por ello, ha surgido una estructura muy popular basado en
transistores MOS de enriquecimiento conocido como DMOS o de doble difusión MOS (double-diffused vertical
MOS transistor) mostrado en la figura 7.16. La corriente controlada por la tensión de la puerta fluye desde las
dos fuentes hasta el drenador a través del substrato ligeramente dopado. Los transistores DMOS son de canal
estrecho pero poseen tensiones de rupturas de ha