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Tema 7
(figura 7.11.a) o para una temperatura ambiente (figura 7.11.b). Estas curvas se obtienen a partir de las
ecuaciones 7.24 y 7.25 limitadas por la potencia máxima (Pj(max)) de disipación del dispositivo y la temperatura
máxima (Tj(max)) que puede alcanzar la unión. La figura 7.12 presenta diferentes tipos de encapsulados
utilizados por el fabricante y la tabla 7.1 sus correspondientes resistencias térmicas θjc y θja. Los transistores de
potencia tienen encapsulados tipo TO.3 de baja θja a diferencia de los de baja potencia que usan encapsulados de
mayor resistencia térmica. Como es evidente, es coste de un encapsulado es inversamente proporcional a su
resistencia térmica.
La disminución de la resistencia térmica de los dispositivos se realiza utilizando aletas refrigeradoras, también
denominados radiadores, que se adhieren al dispositivo a través de mica o pasta de silicona. En la figura 7.13 se
presenta el sistema de fijación de una aleta a un dispositivo. La ecuación de disipación de calor en este tipo de
estructuras es
(
Tj − Ta = Pj θ jc + θcr + θ ra
)
(7.27)
entre el dispositivo y la aleta refrigeradora y θra es la resistencia térmica de la aleta. La θcr está tabulada para
diferentes encapsulados en función del tipo de material utilizado para fijar la aleta a la cápsula del dispositivo. Una
conexión directa es el procedimiento que tiene una θcr más baja que puede ser reducido aún más si se añade pasta
de silicona especial para estas aplicaciones. Sin embargo, muchos fabricantes utilizan los encapsulados metálicos
como salida de un terminal del dispositivo; por ejemplo, muchos transistores de potencia que utilizan el modelo
TO.3 tienen el colector conectado al revestimiento metálico exterior. Con ello, no existe aislamiento eléctrico entre
dispositivo y aleta