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Electronica Básica para Ingenieros
crecimiento de cristales. En 1943, se obtiene la primera unión P-N sobre cristal único de silicio.
El transistor no podía ser eficiente hasta que no se dispusiese de cristales simples extraordinariamente puros.
Bell Laboratories lograron formar cristales simples de germanio y silicio con impurezas muy por debajo de una
parte en mil millones, y a partir de aquí, fue posible controlar el proceso de dopado de los semiconductores. Los
primeros transistores de crecimiento fueron construidos en 1950, y un año después, ya se fabricaban
comercialmente por RCA, Westinghouse, General Electric y Western Electric. En esta época, los componentes de
estado sólido desplazaron virtualmente a las válvulas en casi todas las aplicaciones, tanto militares como
comerciales.
La idea inicial de construir un circuito completo de estado sólido en un bloque semiconductor fue propuesta
por Dummer en 1952. No obstante, en 1958 Kilby, poco después de incorporarse a la Texas Instrument, concibió
la idea de un monolítico, es decir, construir un circuito completo en germanio o silicio. El primer circuito integrado
fue un oscilador por rotación de fase que se construyó empleando como material base el germanio, y sobre él, se
formaban resistencias, condensadores y transistores, utilizando cables de oro para unir estos componentes.
Simultáneamente, Noyce, de Fairchild Semiconductor, tuvo también la idea de un circuito monolítico en el que
aisló mediante diodos p-n los distintos dispositivos, desarrolló la fabricación de resistencias e interconectó los
diferentes dispositivos mediante metal vaporizado. No obstante, el primer transistor de difusión moderno fue
creado por Hoerni de Fairchild en 1958 empleando técnicas fotolitográficas y utilizando los procesos de difusión
antes desarrollados por Noyce y Moore. La clave de la fabricación de circuitos integrados reside en el transistor
planar y la posibilidad de fabricación en masa. En 1961, Fairchild y Texas Instrument introdujeron
comercialmente los circuitos integrados.
Otro dispositivo que intervino en el avance espectacular de la Electrónica, aunque su desarrollo fue posterior
al del transistor debido a problemas tecnológicos, es el transistor de efecto de campo. Antes de la invención de
este transistor, numerosos investigadores ya habían estudiado la variación de conductividad de un sólido debido a
la aplicación de un campo eléctrico. El transistor de unión de efecto de campo fue propuesto por Shockley en
1951, aunque problemas tecnológicos para lograr una superficie estable retrasaron su realización física. Estos
problemas fueron solucionados al desarrollarse el proceso planar y la pasivación de la superficie con óxido de
silicio (SiO2). En 1960, Kahng y Atalla, de Bell Laboratories, anunciaron el primer transistor de efecto de campo
de puerta aislada. En 1962, Hofst