www.elsolucionario.net
Electronica Básica para Ingenieros
I
VT ln C1 = I o R E
Io
(5.15)
V − VBE
I C1 = CC
R1
(5.16)
siendo
La resistencia de salida de esta fuente se puede aproximar mediante la expresión
˚R E
−1
Z o = h oe
2 1 +
h ie 2 + R E
(5.17)
que como se puede observar su Zo es mucho más elevado que el correspondiente a la fuente de corriente
basada en espejo de corriente.
2
I = ˚ ( V
D1
GS1 − VT )
2
VDD = I ref R1 + VGS1
V
= VGS2 + I o R S
GS1
2
I = ˚ V
o 2 ( GS2 − VT )
(5.18)
con una resistencia de salida
Z o = rd 2 + (1 + µ )R S
(5.19)
5.5.- Otras fuentes de corriente
A partir de la estructura del espejo de corriente y fuentes Widlar se obtienen nuevas fuentes de corriente que
mejoran algunas de sus prestaciones. En los circuitos de la figura 5.7 se presentan las más típicas basadas en
transistores bipolares. En la fuente de corriente simple con resistencias de emisor de la figura 5.7.a, la relación
entre las corrientes de ambos transistores está condicionada por la relación de sus resistencias de emisor. La
fuente de corriente Wilson de la figura 5.7.b proporciona corrientes de salida similares al espejo de corriente
aumentando enormemente la impedancia de salida. La fuente cascode de la figura 5.7.c presenta una impedancia
de salida aún mayor manteniendo niveles de corriente de salida altos.
Las estructuras desarrolladas para transistores bipolares pueden ser adaptadas a transistores MOSFET
resultando las fuentes de corriente de la figura 5.8. Están basadas en espejos de corriente y la corriente de salida
se especifica a partir de Iref y la relación geométrica de las puertas de los transistores M1 y M2. La resistencia de
salida es idéntica en todas ellas y se puede aproximar por Zo≈µr d2.
– 92 –
I.S.B.N.:84-607-1933-2
Depósito
Legal:SA-138-2001
www.elsolucionario.net
La versión de la fuente Widlar basada en transistores MOSFET se representa en la figura 5.6.b y verifica
las siguientes ecuaciones