www.elsolucionario.net
Electronica Básica para Ingenieros
transistor en la región lineal que relaciona la IC con la tensión VBE, de forma que
V
I
I C = I S exp BE ⇒ VBE = VT ln C
IS
VT
(5.1)
En un espejo de corriente las tensiones VBE de Q1 y Q2 son iguales y, al ser transistores idénticos, IS1=IS2.
Por consiguiente, la ecuación 5.1 indica que ambas intensidades de colector deben ser iguales IC1=IC2=Io. De
ahí el nombre de espejo de corriente: la corriente de colector de ambos transistores es la misma, de forma que si
varía la corriente de uno de ellos tiene “reflejo” en el otro. En la base de estos transistores se verifica que
I ref = I C1 + I B1 + I B2
(5.2)
I
I C1 = I C2 = I o = ref
2
1+
˚
(5.3)
V − VBE
I ref = CC
R
(5.4)
siendo
En el caso de que ß >> 1, la ecuación 5.3 se reduce a
I C2 = I C1 ≈ I ref
(5.5)
IC2 =Io
Iref
SAT
La ecuación 5.5 se cumple siempre que Q1 y Q2 sean transistores idénticos con las mismas características
eléctricas. En general, no es posible conseguir un buen espejo de corriente utilizando transistores discretos
debido a la dispersión de parámetros que tienen estos dispositivos. Los mejores resultados se obtienen en
circuitos integrados cuando se fabrican situando a los transistores muy próximos entre sí con idéntica geometría.
te
V BE=c
1/Ro
Ideal
LINEAL
VCE2=Vo
Figura 5.2. Características eléctricas del transistor ideal y real.
Una fuente de corriente ideal debe suministrar una corriente constante con independencia de la tensión de
salida. Sin embargo, en las fuentes de corriente reales su corriente de salida varía con la tensión de salida. Esta
dependencia está relacionada con la resistencia de salida del transistor. La figura 5.2 representa la curva de
operación de Q2 con VBE2=Cte fijada por la corriente del transistor Q1 en el espejo de corriente de la figura
5.1.a, suponiendo al transistor ideal (recta horizontal con resistencia de salida ∞) y real (su resistencia de salida
está especificada por pendiente de la recta de valor 1/Ro). Si se considera un transistor ideal sin resistencia de
salida, la intensidad Io es independiente de la VCE, es decir, de la tensión de salida. Por el contrario, un transistor
– 88 –
I.S.B.N.:84-607-1933-2
Depósito
Legal:SA-138-2001
www.elsolucionario.net
y como la corriente de colector es idéntica en ambos transistores y dado que operan en la región lineal
(IC=ßIB), se puede despejar IC1 de la ecuación 5.2 resultando que