DOSSIER
OPTRONIQUE & infrarouge
peut cependant créer des défauts( défauts d’ interfaces recombinants) pour les charges photogénérées par absorption des photons et conduire à augmenter les bruits électroniques dans les imageurs traités BS. Le courant d’ obscurité de l’ imageur peut ainsi être affecté négativement. Nous avons cependant développé un savoir-faire breveté qui permet de passiver électroniquement la surface du BS et de conserver un faible courant d’ obscurité.
Le BS, en permettant une absorption maximale des photons dans le visible et le NIR et leur conversion particulièrement efficace en charges
Figure 3. Courbes d’ éclairement spectral en niveau de nuit [ 3 ]
collectées dans l’ imageur, accroît très fortement l’ efficacité quantique de l’ imageur( Figure 2), jusqu’ à plus de × 2 dans le NIR.
Comme le rayonnement de la nuit est constitué d’ une partie du spectre visible, certes faible, et d’ une partie relativement importante dans le NIR( Figure 3), le BS confère ainsi des capacités d’ imagerie de nuit, à bas niveau de lumière, aux imageurs en silicium.
Dans la suite de l’ article, nous précisons comment nous modélisons les
propriétés optoélectroniques du BS pour affiner les paramètres de procédé de réalisation. La dernière partie de l’ article montrera comment il est possible de coupler aux imageurs des codes de rehaussement et de débruitage des images pour permettre l’ imagerie à des niveaux de lumière encore plus bas.
LA MODÉLISATION OPTOÉLECTRONIQUE: UNE MÉTHODE PRÉDICTIVE DES PERFORMANCES D’ UN IMAGEUR Au sein de l’ industrie microélectronique, les coûts prohibitifs de développement et d’ intégration de nouveaux procédés tendent à figer les architectures de pixels, privilégiant la rentabilité des lignes de production. Toutefois, cette contrainte stratégique se révèle comme un atout majeur dans la démocratisation du BS pour la vision à bas niveau de lumière puisqu’ il ne nécessite aucune modification du procédé de fabrication de base des imageurs. Dans cette optique, la modélisation des performances optoélectroniques devient un levier primordial permettant d’ évaluer la compatibilité technologique avec l’ architecture du pixel et estimer le gain de performance apporté par la texturation de surface aléatoire du silicium.
Figure 4. Méthodologie de modélisation optoélectronique d’ un pixel d’ imageur.
48 www. photoniques. com I Photoniques 138