Další oblastí zájmu je mikromagnetická
teorie ultrarychlých magnetizačních pro-
cesů, např. v magnetických nanodiscích
(vor texech). V oddělení byly vyvinuty
vy soce citlivé metody magnetooptické
spek troskopie a elipsometrie pro studium
zmíněných systémů.
V technologické laboratoři se připravují
tenké epitaxní oxidové vrstvy pro scinti-
lační detektory. Tyto detektory jsou vhod né
při detekci rtg. záření nebo energetic kých
elektronů ve 2D zobrazovacích scintilač-
ních systémech se submikronovým rozli-
šením.
kon krétních témat výzkumu v sou-
ladu s vývojem daných oblastí vědy,
v podstatě přetrvaly až do součas-
nosti.
Fyzikální ústav UK je tradičně pře-
devším experimentální pracoviš tě,
při čemž současné experimentální vy -
ba vení laboratoří ústavu je asi nej-
kvalitnější za celou jeho historii.
Vědecká práce Oddělení polovodičů a po-
lo vodičové optoelektoniky se koncentruje
na dvě základní oblasti výzkumu – pří -
p ra va detektorů rentgenového a gama
záře ní na bázi polovodiče (Cd,Zn)Te
a optic ké vlastnosti kvantových struktur.
V prvním případě se jedná o výzkum uni-
kátního materiálu, který umožňuje spekt-
rálně citlivou vysoce účinnou detekci zá-
ření bez nutnosti chlazení detektoru. Cílem
výzkumu je nalezení optimálních techno-
logických postupů přípravy detektorů. Od-
dělení disponuje kompletní technologií od
růstu monokrystalů až k přípravě a charak-
terizaci detektorů.
Kvantové struktury (nanostruktury) jsou
zá kladem moderní řady optoelektro nic-
kých součástek, které nemají analogii
v klasických materiálech. Cílem výzkumu
je realizace experimentů, kterými lze ově-
řit předpovědi kvantové fyziky. Boha té
možnosti tvorby rozmanitých struktur do-
volují přípravu prvků na zakázku podle
požadavků zadavatele. V současné do bě
jsou v oddělení studovány vlastnosti dvoj-
rozměrného elektronového plynu v kvan-
tových jamách CdTe/CdMgTe a vlast nosti
monoatomární vrstvy grafi tu – grafenu.
Epitaxní vrstva granátového
scintilátoru Ce:LuAG osvětlená
ultrafi alovým zářením.
Heliem chlazený optický kryostat
pro mapování fotoluminiscence
polovodičů
Fyzika: Optoelektronika
37